显示技术从 1080P，演变到 4K，再到 8K 世代，再随着面板尺寸扩大，对于更高的分辨率、轻薄化、高动态 HDR 的显示需求也逐步提升。此外，面板的显示技术也渐渐从传统背光走向自主发光模式，而 LED 技术领域的钻研成为目前市场主流方向。
由于 LED 能搭配软性面板，达到与 OLED 抗衡的曲面显示，甚至是透明显示技术，再加上 OLED 目前的可靠性与使用寿命均有缺陷，使得 Mini LED 与 Micro LED 应运而生。
LED 与大多技术渗透趋势类似，随新技术成熟度提升，及成本下降之下，终端产品的应用也愈来愈多。此外，LED 显示技术也开始朝向「小间距」发展，创造更多元的应用。
随着产品技术不断改善，研发技术持续升级，LED 点间距已经可以做到 1mm 以下的小间距产品。
依照业内普遍共识，点间距在 2.5mm 以下的 LED 显示器即可定义为小间距。至于 Micro LED 则要求间距小于 0.01mm，且芯片尺寸小于 0.05mm，而 Mini LED 的间距要求与芯片尺寸则介于小间距 LED 与 Micro LED 之间。
01、小间距 LED
近年来，小间距 LED 的间距逐步缩小，从平均 10mm 向 2mm 以下前进，进而开始与 DLP、LCD 屏幕竞争室内显示器市场。而随着 LED 芯片因芯片工艺精进，与 MOCVD 设备瓶颈突破后，成本快速下滑，其最终产品价格已至降至 DLP 屏幕之下。
至于全球市场模规方面，根据 OFweek 产业研究院数据显示，2017 年全球小间距 LED 显示屏幕市场规模超过 10 亿美元，预计 2020 年将逼近 18 亿美元。从区域分布看，亚太地区为比重最高的市场约 50%～60%，其次为北美、欧洲地区。
然而小间距 LED 还是有其物理上的技术限制，因此对于更小间距的消费应用市场，就留给 Mini LED、Micro LED 发挥。
02、Micro LED
在苹果曾表示未来旗下各类消费性产品的显示技术将采用 Micro LED，而 Micro LED 立即成为热点。
Micro LED 是 LED 产业的延伸，在 LED 芯片制造环节与传统技术具备相似性，同样需要外延片、RGB 三色晶粒与组装。
Micro LED 虽然前段制程与面板、IC 电路相似，但多了一项巨量转移制程。而目前 Micro LED 量产最大难关就是在此环节上。
因为 Micro LED 基板主要是电流驱动的 TFT 结构，而将数以万计的 LED 芯片转移至 TFT 基板上 (巨量转移过程)，就是目前各厂所面临的良率及效率的严峻考验。
若要达到商用化程度，Micro LED 巨量转移良率必须达到 99.9999%。若以一台 4K UHD 面板为列，其含有 3840*2160 像素，转化为彩色 Micro LED 芯片将超过 24,800,000 颗。
如果只以 99.99% 良率计算，一台 4K 显示器上的不合格芯片将高达 2488.32 颗，如果是 99.9999% 的良率，只会有 2.49 颗不合格芯片。由此可以看出目前各厂面对这座巨大技术高墙暂时难以突破。
不过，即使 Micro LED 良率问题无法有效改善，但 Yole 还是认为今年 Micro LED 应用将可在小尺寸市场中见到身影，特别是穿戴式消费性电子，随后在 2021 年开始渗透至智能手机与电视领域，而智能手机将是 Micro LED 显示技术运用最大的领域。
03、Mini LED
Mini LED 作为小间距 LED 与 Micro LED 的过渡应用，其优势在于 Mini LED 背光能够利用已有的 LCD 技术基础，结合成熟的 RGB LED 技术，将产品推出的周期缩短。
以生产环节看，Mini LED 目前虽然在中期阶段，但面临的困难不像 Micro LED 难以突破。不过要顺利推动还是需要外延片、芯片、封装、基板、TFT 背板、驱动 IC 与设备厂商等共同努力。
LEDinside 指出，Mini LED 未来可能的发展方向，涵盖电视、手机、车用面板、显示屏等，预估 2023 年整体 Mini LED 产值将达到 10 亿美元，其中 LED 显示屏幕及大尺寸电视等，将是 Mini LED 应用的主流。
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